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1. 基片尺寸=Ф4英寸 2. 极限真空度：5×10-5Pa 3. 真空抽速：3*10-4Pa/20min 4. 衬底温度：350℃ 5. 温度均匀性：±10℃ 6. 样平台转速：≤20r/min 7. 坩埚数量：4
所在地：杭州市 西湖区
浙江省光电磁传感技术研究重点实验室
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温度范围：1100摄氏度 温度控制精度：~+/-0.2摄氏度>300摄氏度 升温时间：<60min 降温时间：从1000摄氏度降到100摄氏度小于45分钟
ICP离子源：0-3000W RF射频源：0-600W装片：1片四英寸，向下兼容 基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。 刻蚀气体：BCl3、Cl2、HBr、Ar、O2可刻蚀材料包括：GaN、GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族化合物材料
可沉积厚达十几个微米的SiO2； 淀积低应力SiN和SiON等介质膜； 淀积速率：>150nm/min(SiO2)；>100nm/min(SiN)； 厚度控制：从几十nm到6um都可精确控制。 均匀性好：<±3％；重复性好：<±3％；应力小：<300MPa；表面平整度、致密性好； 上下电极加热：上电极250℃，下电极300℃，可以减小侧壁和上电极沉积物的脱落。
1.Accelerating voltage： 5~30 kV2.Minimum line width： 10 nm 3.Overlay Accuracy： 40 nm 4.Field stitching Accuracy: 20 nm 5.Exposure range： 直径75 mm 6.Scan speed：12 MHz to 250 Hz
1、配装3支Ф2英寸的磁控溅射靶，其中一支可镀铁磁材料. 2、磁控溅射靶射频（RF）、直流（DC）兼容.3、每只磁控溅射靶均配备挡板，基片配挡板.4、极限真空：5*10-5Pa；工作背景真空：7*10-4Pa . 5、基片尺寸≤Ф4英寸.6、基片可加热至500℃. 7、控制系统：PC+PLC全自动控制.
ICP离子源：0-3000W RF射频源：0-600W装片系统：六英寸，向下兼容 基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。 刻蚀气体：SF6、C4F8、O2、Ar可刻蚀材料包括：硅材料
1、扫描长度：55mm； 2、垂直测量范围：524um(标准），最大可达1mm； 3、台阶高度重现性6Å, 1 在1um台阶上； 4、垂直分辨率：1Å，（6.55um范围) ； 5、探针压力：1－15mg，最小可达1mg； 6、探针曲率半径：0.2-25um，超细探针50nm； 7、样品台尺寸：150mm，可360°旋转。
Wafer size： 2inch，4inch，6inch and un-normal small wafers Exposure mode：（Vac, hard, soft, proximity） Minimum line width：0.7μm（Vac） Overlay Accuracy： 0.5μm
测试台阶高度
刻蚀硅材料
溅射硬质膜、金属膜、合金
化学气相沉积sio2
电子束镀各种硬质膜、金属膜
对准接触式光刻制作掩膜
电子束曝光制作掩膜
适合于对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料进行刻蚀。