服务名称：适合于对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料进行刻蚀。

联系人：时尧成

电话：88206516转113

开放时间：学校正常上班时间

收费标准：校外600元/小时 校内300元/小时

服务描述：ICP离子源：0-3000W RF射频源：0-600W装片：1片四英寸，向下兼容 基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。 刻蚀气体：BCl3、Cl2、HBr、Ar、O2可刻蚀材料包括：GaN、GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族化合物材料

载体名称： 浙江省光电磁传感技术研究重点实验室

载体地址： 浙江大学紫金港校区东五楼 光及电磁波研究中心 

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