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等离子增强化学气相沉积PECVD(有机)
分类编码:120499
英文名称:PECVD (contaminated substrate)
规格型号:HAASRODE-P200A
所属单位:浙江省3D微纳加工和表征研究重点实验室
仪器原值:111.00(万元)
启用日期:2018/8/23
生产厂商:江苏鲁汶仪器有限公司
产地国别:中国
服务领域:材料,生物医学,电子与测量
技术指标:1)配置5%SiH4/95%N2,N2O,NH3,N2,CF4,O2等6路工艺气体; 2)1KW的13.56MHz射频电源;反应压力从500mTorr~3Torr可控; 3)热台衬底加热温度从100度到350度可调; 4)在8英寸(200mm直径) 衬底内,沉积氮化硅和氧化硅薄膜片内均匀性<3%, 每次沉积之间的均匀性<3%;薄膜633nm折射率从1.465~3.00可调,薄膜应力从压应力到张应力可调; -->样品要求: 样品尺寸从8英寸(200mm直径)圆片到小尺寸碎片,厚度小于3mm的平面样品;接受衬底材质如硅片,玻璃,化合物半导体衬底,耐高温的塑料,不锈钢等材质;衬底需先进行清洗,去除表面颗粒和油污等方可送入反应腔镀膜;不可使用有挥发性或者未干燥样品;特殊样品请咨询设备管理员.
功能及应用领域:可用于沉积氧化硅,氮化硅,氮氧化硅和非晶硅等薄膜材料; 可提供不同折射率,光学带隙,吸收系数和薄膜应力的工艺参数组合; -->服务内容:薄膜沉积,样品制备,用户培训,技术咨询(未培训用户可代为制样,培训合格并授权用户可自行操作)
仪器联系人:李西军
联系人电话:0571-88119591
邮政编码:310024
电子邮件:lixijun@westlake.edu.cn
参考收费标准:校内400元/小时; 校外800元/小时