深硅刻蚀机 英文名称： Wafer Etcher 规格型号： DSE200 所属单位： 江苏物联网研究发展中心 仪器原值： 528.72(万元) 启用日期： 2013/8/31 生产厂商： 北方华创 产地国别： CHN.中国 安放地址： 中国,江苏省,无锡市,惠山区 技术指标： 中心/边沿独立MFC设计，保证8寸及以下工艺均匀性。 采用大抽速分子泵，工艺窗口更宽。 独特设计的气体比例控制，可以实现刻蚀角度80°-90°可调。 配置低频偏压，可实现高达25：1的单步平滑硅刻蚀工艺。 腔室可加热至120℃，配备优化的Dryclean制程，保证腔室环境稳定。 提供多种新工艺开发及解决方案。 软件具有安全方便的权限管理，人性化的操作界面和完善的日志记录功能，支持工厂自动化（FA）。 功能及应用领域： DSE 200设备是针对硅功率器件开发的专用刻蚀设备，主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super Junction中的Deep Trench刻蚀。不同于MEMS工艺的深硅刻蚀，DSE 200设备针对的是单步平滑刻蚀工艺，保证功率器件的电压性能。DSE 200设备针对研发/中试线/量产领域可以灵活配置平台方式。 仪器联系人： 吴祺昶 联系人电话： 025-85485877