适合于对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料进行刻蚀。
联系人：
时尧成
电话：
88206516转113
邮件：
yaocheng@zju.edu.cn
开放时间：
学校正常上班时间
收费标准：
校外600元/小时 校内300元/小时
服务描述：
ICP离子源：0-3000W RF射频源：0-600W装片：1片四英寸，向下兼容 基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。 刻蚀气体：BCl3、Cl2、HBr、Ar、O2可刻蚀材料包括：GaN、GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族化合物材料