深反应离子刻蚀机DRIE 分类编码： 120499 英文名称： Deep reactive ion etching system 规格型号： RIE-400iPB 所属单位： 浙江省3D微纳加工和表征研究重点实验室 仪器原值： 350.00(万元) 启用日期： 2018/8/23 生产厂商： Samco 产地国别： 日本 服务领域： 材料,生物医学,电子与测量 技术指标： 1) 深硅刻蚀 -百微米级Trench（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 50 um/min; b) 硅:光刻胶选择性（Selectivity），不低于 100 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 85 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，100mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 5% ; 2) 深硅刻蚀-微米级Trench（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于60 um/min; b) SiO2：光刻胶选择性（Selectivity）， 不低于 10 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 85 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，100mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 5% ; 3) 深硅刻蚀-百微米级（二氧化硅掩模）： a) 刻蚀速率不低于 10 um/min; b) Si3N4：光刻胶选择性（Selectivity）， 不低于 400 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 85 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，100mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 5% ; 功能及应用领域： 该设备通过在反应腔室中通入可以与被刻蚀材料起化学反应的气体，射频电源将反应气体电离产生等离子体，基底被浸渍于高反应活性的等离子体中，基底表面未被掩蔽的部分与气体离子进行反应，反应产物呈气态排出腔室，从而实现材料刻蚀。 　 该设备主要用于硅及二氧化硅快速刻蚀及其他硅基材料的刻蚀，在衬底上形成高深宽比（如Aspect Ratio100以上）的图案结构微纳米结构。 应用领域包括：MEMS器件的制造（加速传感器等）、喷墨印表机喷头、三维封裝中的硅穿孔、医疗器件的制造。 仪器联系人： 李西军 联系人电话： 0571-88119591 邮政编码： 310024 电子邮件： lixijun@westlake.edu.cn 参考收费标准： 校内900元/小时； 校外1800元/小时