原子层沉积设备 分类编码： 120304 英文名称： Atomic Layer Deposition System 规格型号： SI ALD 所属单位： 浙江省3D微纳加工和表征研究重点实验室 仪器原值： 270.00(万元) 启用日期： 2018/8/23 生产厂商： SENTECH Instruments GmbH 产地国别： 德国 服务领域： 材料,生物医学,电子与测量 技术指标： 通过加热方式或者等离子体方式，进行原子层沉积氧化物和氮化物薄膜； 1）配置有4路液体源注入,其中 2路直抽管路，管路可加热到最高200度，反应源瓶不可加热； 1路直抽管路，反应源瓶和管路均可加热到最高200度； 1路氮气鼓泡管路，反应源瓶和管路均可加热到最高200度； 2）配置有300W的CCP等离子体源和两路反应气体，分别是氨气和氧气，通过等离子体解离后注入反应腔； 3）衬底可加热到最高300度； 功能及应用领域： 1）可沉积氧化铝，氧化钛，氧化硅，氮化钛等薄膜，对非平面结构实现均匀的共型薄膜覆盖； 2）2路直抽管路，反应源瓶不可加热，管路可加热到最高200度，用于高蒸汽压反应源，如H2O和铝源TMA； 3）1路直抽管路，反应源瓶和管路均可加热到最高200度，用于室温下低蒸汽压反应源，如硅源SAM.24； 4）1路氮气鼓泡管路，反应源瓶和管路均可加热到最高200度，用于加热也不能获得高蒸汽压的反应源，如钛源TTIP； 5）300W的CCP等离子体源可将氨气或者氧气解离生成活性基团，注入反应腔参与ALD的反应，再100度下可获得致密薄膜； 6）原位椭偏仪可对整个ALD的过程进行监控，可使沉积停止于目标厚度； 仪器联系人： 李西军 联系人电话： 0571-88119591 邮政编码： 310024 电子邮件： lixijun@westlake.edu.cn 参考收费标准： 校内500元/小时； 校外1000元/小时