ALD原子层沉积系统 规格型号： ALD150LX 所属单位： 浙江大学 生产厂商： 美国Lesker公司所属品牌 技术指标： 1.主要沉积高K介电薄膜，如Al2O3, HfO2, ZrO2等. 2.沉积的薄膜致密无漏点，大面积(最大100mm)且均匀性好(<1%）。 3.薄膜可低温生长(从室温到350oC)，膜厚可精确控制在～1Å。 4.极好的台阶、孔洞等三维覆盖率，可广泛适用于各种形状的衬底 5.配有系统控制软件平台，可编辑工作程序进行多层不同薄膜的沉积。 功能及应用领域： 可作为集成电路中MIM电容器涂层，防反射包覆层，多层结构光学电介质，有机发光显示器反湿涂层以及应用在太阳能电池和MEMS微机电系统等领域。 联系人电话： 057188981125 参考收费标准： 校内：基准费200元；Cr、Ni、Ti、Ge每100nm加100元；Al 每200nm加100元；Ag每200nm加300元；Pd每100nm加500元；Au每100nm加500元；Pt每100nm加800元。 校外：基准费400元；Cr、Ni、Ti、Ge每100nm加200元；Al 每200nm加200元；Ag每200nm加600元；Pd每100nm加1000元；Au每100nm加1000元；Pt每100nm加1600元。