原子层沉积系统 分类编码： 120204 英文名称： Atomic layer deposition system 规格型号： TALD 所属单位： 杭州师范大学材料与化学化工学院 仪器原值： 41.40(万元) 启用日期： 2019/3/22 生产厂商： 嘉兴科民电子设备技术有限公司 产地国别： 中国 技术指标： 1、铝型材机架+镜面不锈钢面板，触摸屏人机操作； 2、样品台尺寸：最大可放置6英寸样品，兼容6inch及以下样品尺寸； 3、样品加热温度：4英寸内加热温度为室温至400℃，控制精度±0.5℃；加热器 表面设置有不锈钢片托，有效防止样品背面绕镀； 4、本底真空：配置原装进口德国莱宝高性能双极旋片真空泵，抽速不小于16 m3 /h，配置臭氧系统时配置相应的防腐真空泵及管道，满足对本底真空和原 子层沉积工艺的要求； 5、真空计：美国MKS数字式压力传感器，检测范围10-5至105 Torr； 6、反应腔室：沉积腔室下腔室为316不锈钢电抛光处理，上腔盖为6061铝材阳极 氧化。腔室内有可拆卸阳极氧化铝内衬，方便清洗；腔室及真空抽气管路的 采用含氟橡胶O型圈密封，真空漏率小于5*10-7Pa.L/s； 7、独立前驱体源：金属前驱体源和水前驱体源（臭氧）采用两个独立的进气口 输运到真空反应腔室，每路配置独立的吹扫流量计和管道；在未进入反应腔 室前不能混合，避免前驱体源在输运管道到发生交叉污染； 8、每路加热前驱体源系统的最大加热温度可达到200℃，温度控制精度±0.5℃。 每路源配高温ALD专用阀门，高温手动隔膜阀，50mL不锈钢源瓶； 9、尾气处理装置：外热式不锈钢真空热阱前驱体处理器，最高加热温度500℃， 控制精度±1.0℃； 10、吹扫流量计：2路，MKS品牌，控制精度为满量程的1%； 11、电源：50Hz，功率5KW，220V或者380V（防腐泵）交流电源； 12、控制方式：PLC+工控机+美国ELO触摸屏操作； 13、沉积非均匀性：4英寸内沉积300cycle氧化铝非均匀性<±1%； 14、维修工具1套、说明书及其它技术资料； 15、配套工艺：提供沉积氧化铝、氧化锌、氧化钛、氧化铪、氧化锆、氧化硅（臭 氧）、氧化铁（臭氧）等的标准沉积工艺； 16、设备免费质保1年，出现故障时，保证24小时内响应，并提供备件替换服务。 功能及应用领域： 表面镀膜 仪器联系人： 高鹏 联系人电话： 18305810604 邮政编码： 311121 电子邮件： gaopeng@hznu.edu.cn 参考收费标准： 500元/小时