反应离子刻蚀ICP（无机） 分类编码： 120302 英文名称： Inductively Coupled Plasma reactive ion etching system 规格型号： RIE-101iPH 所属单位： 浙江省3D微纳加工和表征研究重点实验室 仪器原值： 217.28(万元) 启用日期： 2018/8/23 生产厂商： Samco 产地国别： 日本 服务领域： 材料,生物医学,电子与测量 技术指标： 1) 硅衬底刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 200 nm/min; b) 硅:光刻胶选择性（Selectivity），不低于 3:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 80 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，100mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 5% ,片间(3片)< 5% ; 2) SiO2刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 100 nm/min; b) SiO2：光刻胶选择性（Selectivity）， 不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 80 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，100mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 5% ,片间(3片)< 5% ; 3) Si3N4刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 200 nm/min; b) Si3N4：光刻胶选择性（Selectivity）， 不低于 1:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 80 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，100mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 5% ,片间(3片)< 5% ; 功能及应用领域： 该设备通过在反应腔室外的电磁线圈上加射频电源，急剧变化的感应电场和感应磁场相互耦合，使得初始电子获得能量轰击中性粒子，产生稳定的等离子体。等离子体在射频偏压电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面进行物理轰击同时化学反应产生挥发性气体，从而达到刻蚀的目的。 该设备主要用于硅、聚合物和光刻胶、硅基介质材料如：氧化硅、氮化硅的刻蚀，控制刻蚀的形貌（同向性或异向性），并保持整个样品的均匀性，在衬底上形成的图案结构微纳米结构。 仪器联系人： 李西军 联系人电话： 0571-88119591 邮政编码： 310024 电子邮件： lixijun@westlake.edu.cn 参考收费标准： 校内600元/小时； 校外1200元/小时