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等离子增强化学气相沉积PECVD(无机) |
分类编码: | 120302 | 英文名称: | PECVD (non-contaminated substrate) | 规格型号: | PD-220NL | 所属单位: | 浙江省3D微纳加工和表征研究重点实验室 | 仪器原值: | 176.28(万元) | 启用日期: | 2018/8/23 | 生产厂商: | SAMCO Inc. | 产地国别: | 日本 | 服务领域: | 材料,生物医学,电子与测量 | 技术指标: | 1) 配置5%SiH4/95%N2,N2O,NH3,N2,CF4,O2等6路工艺气体, 2) 干式等离子体清洗免开腔维护; 3)最大300W的13.56MHz射频电源; 4)反应压力从50Pa~150Pa均可均匀镀膜; 4)衬底温度从100度到400度可调,片内温度均匀性优于+/-5度; 5)氮化硅和氧化硅薄膜片内成膜均匀性优于3%,片间成膜均匀性优于5%; -->样品要求: 样品尺寸从8英寸(200mm直径)圆片到小尺寸不规则样品,厚度须小于1mm;接受衬底材质如硅片,化合物半导体,玻璃,石英片等无金属污染的材质;已经沉积过金属的衬底,带光刻胶的衬底,金属衬底等不可在此机台使用;衬底需先进行清洗,去除表面颗粒和油污等方可送入反应腔镀膜,不可使用有挥发性或者未干燥样品;特殊样品请咨询设备管理员. | 功能及应用领域: | 可用于沉积氧化硅,氮化硅,氮氧化硅和掺氮非晶硅等薄膜材料; 可提供不同折射率,光学带隙,吸收系数和薄膜应力的工艺参数组合;折射率从1.45~3.00连续可调;禁带宽度和吸收边从在非晶硅到氧化硅之间连续可调;薄膜应力从压应力到张应力可调; | 仪器联系人: | 李西军 | 联系人电话: | 0571-88119591 | 邮政编码: | 310024 | 电子邮件: | lixijun@westlake.edu.cn | 参考收费标准: | 校内600元/小时; 校外1200元/小时 |
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